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重要なお知らせ

プレスリリース

準安定相ナノワイヤからの強い第二高調波発生

ポイント

  • GaAsナノワイヤ中に安定な立方晶、準安定な六方晶が共存
  • 六方晶GaAs部位で強力な第二高調波発生
  • 安定・準安定相制御で非線形光学機能が拡大

概要

半導体GaAsは、センサーやレーザーに主に使用される材料であるとともに、高い非線形光学定数をもつことから波長変換材料としても利用できます。本報告は、GaAsナノワイヤ中の結晶構造を変化させることでその非線形光学特性を制御し、フォトニクス材料としての機能拡大を提案します。
愛媛大学大学院理工学研究科の石川史太郎准教授が参加するスウェーデンのリンショーピン大Buyanova教授の研究グループの研究では、GaAsナノワイヤ中の準安定な六方晶の結晶構造を持つ極微細領域において、安定な立方晶部位よりも約7倍の強力な第二高調波発生が得られることを見出しました。

プレスリリース資料はこちら(PDFファイル 533KB)

お問い合わせ先

愛媛大学大学院理工学研究科 准教授 石川史太郎

Tel 089-927-9765
Mail  ishikawa.fumitaro.zc@ehime-u.ac.jp